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    EM6AA160TS-4G 参数 Datasheet PDF下载

    EM6AA160TS-4G图片预览
    型号： EM6AA160TS-4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ） [16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 51 页 / 401 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第12页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第13页  
    EtronTech
    扩展模式寄存器设置（ EMRS ）
    EM6AA160TS
    扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ，并选择输出驱动
    强度。扩展模式寄存器的缺省值是未定义的，因此必须被写入功率后
    了正常运行。扩展模式寄存器写的是断言低
    CS
    ,
    RAS
    ,
    CAS
    和
    WE
    .
    的A0〜 A12， BA0和BA1的状态被写入到模式寄存器中相同的周期
    CS
    ,
    RAS
    ,
    CAS
    和
    WE
    变低。在DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经写入前高
    扩展模式寄存器。 A1用于驱动强度设置为正常，或弱。两个时钟周期是
    以完成在扩展模式寄存器的写操作所需的。的模式寄存器的内容可以是
    利用工作期间相同的命令和时钟周期的要求，只要所有银行都在改变
    空闲状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BA0用于EMRS 。请参考表
    具体的代码。
    表10.扩展模式电阻位图
    BA1
    0
    BA0
    1
    A12
    A11
    A10
    A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    RFU必须设置为“0”的
    A4
    A3
    A2
    A1
    DS0
    A0
    DLL
    BA0模式
    0
    太太
    1 EMRS
    A1
    0
    1
    驱动强度
    正常
    弱
    A0
    DLL
    0
    启用
    1禁用
    钰创机密
    9
    修订版0.7
    2008年7月

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