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EM6AA160TS-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6AA160TS-4G图片预览
型号: EM6AA160TS-4G
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内容描述: 16M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 401 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
表11 。
绝对最大额定值
符号
等级
EM6AA160TS
单位
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
A
T
英镑
T
SOLDER
P
D
输入,输出电压
电源电压
环境温度
储存温度
焊接温度
功耗
- 0.5~ V
DD
+ 0.5
- 0.5~3.7
0~70
- 65~150
260
1
V
V
°C
°C
°C
W
I
OUT
短路输出电流
50
mA
注意:
压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性损坏
该设备。
表12 。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ~ 70
°C)
参数
符号
分钟。
马克斯。
单位
电源电压
电源电压( I / O缓冲器)
输入参考电压
输入高电压( DC )
输入低电压(DC)的
终止电压
输入电压电平, CLK和
CLK
输入
输入不同的电压, CLK和
CLK
输入
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注意:
所有电压都参考V
SS
.
V
DD
V
DDQ
V
REF
2.375
2.375
0.49*V
DDQ
2.625
2.625
0.51* V
DDQ
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.15
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
2
5
-
V
TT
– 0.76
V
V
V
V
V
V
V
V
µ
A
µ
A
V
IH
(直流)V
REF
+ 0.15
V
IL
(DC)的
V
TT
V
IN
(DC)的
V
ID
(DC)的
I
I
I
OZ
V
OH
V
OL
-0.3
V
REF
- 0.04
-0.3
-0.36
-2
-5
V
TT
+ 0.76
-
V
V
I
OH
= -15.2毫安
I
OL
= 15.2毫安
表13 。
电容
( VDD = 2.5V , F = 1MHz的,T
A
= 25
°C)
符号
参数
分钟。
马克斯。
单位
C
IN
输入电容(除CK引脚)
输入电容( CK引脚)
2.5
2.5
3.5
3.5
pF
pF
C
I / O
DQ , DQS , DM电容
4.0
5.0
pF
注:这些参数由设计保证,周期性采样,不100%测试
钰创机密
10
修订版0.7
2008年7月