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EM6AA160TS-4G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM6AA160TS-4G
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内容描述: 16M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 401 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
参数
符号
分钟。
EM6AA160TS
马克斯。
单位
表16.推荐交流工作条件
(VDD = 2.5V ±5% ,T
A
= 0~70
°C)
输入高电压( AC )
输入低电压( AC )
输入不同的电压, CLK和
CLK
输入
输入交叉点电压, CLK和
CLK
输入
注意:
1 )使芯片上的刷新和地址计数器。
2 )最小(T
CL
, t
CH
)是指疗法的实际时钟低电平时间和实际时钟高电平时间越小提供给
装置。
3) t
HZ
和T
LZ
转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据的转换。这些参数
没有被引用到一个特定的电压电平,但指定当该装置输出不再找到(HZ) ,
或开始驱动(LZ) 。
4)具体的要求是, DQS有效(高,低,或在上一个有效过渡某些点)上或
在此之前CLK的边缘。一个有效的转换定义为单调的,并满足输入转换率
规格的装置。如果没有写以前在总线上的进步, DQS会
从高阻抗转换为逻辑低电平。如果先前写在进步, DQS可能是高,低,或
从高至低过渡,在这个时候,根据tDQSS 。
5)最大限制这个参数不是一个设备的限制。该装置将与一个更大的价值
这个参数,但系统性能(总线周转)将相应降低。
6 )对于命令/地址和CK &
CK
压摆率
1.0V/ns.
7 )最多八个自动刷新命令可以发布到任何给定的DDR SDRAM器件。
8) t
XPRD
应该是200吨
CK
在不稳定的CLK操作过程中掉电模式的条件。
V
IH
(AC)的
V
IL
(AC)的
V
ID
(AC)的
V
IX
(AC)的
V
REF
+ 0.35
-
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
-
V
REF
– 0.35
V
DDQ +
0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
V
V
V
V
钰创机密
13
修订版0.7
2008年7月