欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

EM6AA160TS-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6AA160TS-4G图片预览
型号: EM6AA160TS-4G
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 16M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [16M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 401 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
 浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EM6AA160TS-4G的Datasheet PDF文件第16页  
EtronTech
(VDD = 2.5V ±5% ,T
A
= 0~70
°C)
符号
参数
时钟周期时间
时钟高电平宽度
时钟低电平宽度
时钟半周期
从CK数据输出高阻抗的时间,
CK
数据输出低电平,从CK阻抗时,
CK
DQS进出时间从CK ,
CK
CL = 3
-4
4
0.45
0.45
tCLmin或
tCHmin
-0.7
-0.7
-0.7
-0.7
-
0.9
0.4
0.8
0
0.35
0.4
0.35
0.35
0.9
0.9
0.45
0.45
t
HP
-0.5
60
72
40
20
20
8
12
2
8
-
200
75
1
1
36
1.75
最大
10
0.55
0.55
-
0.7
0.7
0.7
0.7
0.4
1.1
0.6
1.2
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120K
-
-
-
-
-
-
7.8
-
-
-
-
-
-
5
0.45
0.45
tCLmin或
tCHmin
-0.7
-0.7
-0.7
-0.7
-
0.9
0.4
0.8
0
0.35
0.4
0.35
0.35
1.0
1.0
0.45
0.45
t
HP
-0.55
60
72
40
20
20
10
15
2
10
-
200
75
1
1
35
1.75
-5
EM6AA160TS
表15.Electrical特点及推荐ACOperating条件
最大
10
0.55
0.55
-
0.7
0.7
0.7
0.7
0.45
1.1
0.6
1.2
-
-
0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120K
-
-
-
-
-
-
7.8
-
-
-
-
-
-
单位注
t
CK
t
CH
t
CL
t
HP
t
HZ
t
LZ
t
DQSCK
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
t
CK
ns
t
CK
t
CK
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
ns
µ
s
t
CK
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
2
3
3
从CK输出访问时间,
CK
t
AC
DQS -DQ歪斜
t
DQSQ
阅读序言
t
RPRE
阅读后同步
t
RPST
CK到有效DQS-中
t
DQSS
t
WPRES
DQS -的建立时间
DQS写序言
t
WPRE
DQS写后同步
t
WPST
在高电平脉冲宽度DQS
t
DQSH
在低电平脉冲宽度DQS
t
DQSL
地址和控制输入建立时间
t
IS
地址和控制输入保持时间
t
IH
DQ & DM设置时间DQS
t
DS
DQ & DM保持时间DQS
t
DH
从DQS DQ / DQS输出保持时间
t
QH
行周期时间
t
RC
刷新行周期时间
t
RFC
行活动时间
t
RAS
t
RCD
RAS
to
CAS
延迟
行预充电时间
t
RP
行有效至行主动延迟
t
RRD
写恢复时间
tw
R
内部写读命令延迟
tw
TR
模式寄存器设置循环时间
t
MRD
平均周期刷新间隔
t
REFI
自刷新退出读命令延迟
t
XSRD
自刷新退出非读命令延迟
t
XSNR
退出掉电指挥
t
XPNR
退出掉电读命令
t
XPRD
自动预充电写恢复+预充电时间
t
DAL
DQ和DM输入PULS宽
t
DIPW
4
5
6
6
7
8
钰创机密
12
修订版0.7
2008年7月