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EM6A9160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9160TSA-4G图片预览
型号: EM6A9160TSA-4G
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 438 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
表12.绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
IN
V
DD
, V
DDQ
T
A
T
英镑
P
D
I / O引脚电压
V
REF
与输入电压
电源电压
环境温度
储存温度
功耗
等级
-4
- 0.5~V
DDQ
+ 0.5
- 1~3.6
- 1~3.6
0~70
- 55~150
1
EM6A9160TSA
单位
V
V
V
°C
°C
W
1,2
1,2
1,2
1
1
1
I
OUT
短路输出电流
50
mA
1
注1 :压力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损伤
该器件
注2 :这些电压是相对于Vss
表13.建议的直流工作条件
s
(T
A
= 0 ~ 70
°C)
参数
电源电压
电源电压( I / O缓冲器)
输入参考电压
终止电压
输入高电压( DC )
输入低电压(DC)的
输入电压电平, CK和
CK
输入
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
(DC)的
V
IL
(DC)的
V
IN
(DC)的
I
I
I
OZ
V
OH
V
OL
分钟。
2.375
2.375
0.49* V
DDQ
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
-5
-5
V
TT
+ 0.76
-
马克斯。
2.625
2.625
0.51* V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
DDQ
+ 0.3
5
5
-
V
TT
- 0.76
单位
V
V
V
V
V
V
V
µA
µA
V
V
I
OH
= -15.2毫安
I
OL
= + 15.2毫安
1,2
1,2
1,2
表14.电容
(V
DD
= 2.5V ± 5 % , F = 1MHz的,T
A
= 25
°C)
符号
C
IN1
参数
输入电容( CK ,
CK
)
分钟。
2
马克斯。
4
单位
pF
C
IN2
输入电容(所有其它输入专用管脚)
2
4
pF
C
I / O
DQ , DQS , DM输入/输出电容
4
6
pF
注:这些参数由设计保证,周期性采样,不100%测试
钰创机密
10
修订版1.1
2009年8月