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EM6A9160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9160TSA-4G图片预览
型号: EM6A9160TSA-4G
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 438 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
模式寄存器设置( MRS)
EM6A9160TSA
该模式寄存器存储数据,控制DDR SDRAM的各种操作模式。它的程序
CAS
延迟,突发类型,和突发长度,使DDR SDRAM,可用于各种应用。默认
模式寄存器的值未被定义;因此,在模式寄存器必须被用户写入。值存储
在寄存器将保留,直至寄存器被重新编程。该模式寄存器写的是主张低
on
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, BA1和BA0 (设备应该有所有银行闲置,没有突发的进展之前,
写入模式寄存器,和CKE应该是高) 。地址引脚A0 〜 A11和BA0 , BA1的状态
同一周期中
CS
,
RAS
,
CAS
WE
被认定的低写入模式寄存器。最少
两个时钟周期,超过tMRD ,需要填写在模式寄存器的写操作。模式寄存器
分为视功能的各个领域。突发长度用A0 〜 A2 ,突发类型采用A3和
CAS
延迟(读列地址的延迟)使用A4 〜 A6 。逻辑0应该被编程为所有
未定义的地址,以确保未来的兼容性。保留的国家不应该用来避免未知设备
操作或不符合未来的版本。请参阅下表为各种突发长度特定的代码,
突发类型和
CAS
潜伏期。
表4.模式寄存器的位图
BA1 BA0 A11 A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
0
0
0
T.M.
CAS延迟
BT
突发长度
模式寄存器
A8
0
1
X
A7测试模式
0正常模式
0
复位DLL
1
测试模式
BA0模式
0
太太
1 EMRS
A6
0
0
0
0
1
1
1
1
A5
0
0
1
1
0
0
1
1
A4 CAS延迟
0
版权所有
1
版权所有
0
版权所有
1
3
0
版权所有
1
版权所有
0
版权所有
1
版权所有
A3突发类型
0顺序
1交错
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
版权所有
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
突发长度字段( A2 〜 A0 )
此字段指定的使用A2 〜 A0引脚列存取的数据长度,并且选择突发长度为2,4,
8 。
表5.突发长度
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
版权所有
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
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6
修订版1.1
2009年8月