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    EM6A9160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

    EM6A9160TSA-4G图片预览
    型号： EM6A9160TSA-4G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8M ×16的DDR同步DRAM （SDRAM）的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 51 页 / 438 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EM6A9160TSA-4G的Datasheet PDF文件第16页  
    EtronTech
    表16.电气AC特性
    (V
    DD
    = 2.5V
    ±
    5%, T
    A
    = 0~70
    °C)
    符号
    t
    CK
    t
    CH
    t
    CL
    t
    DQSCK
    t
    AC
    t
    DQSQ
    t
    RPRE
    t
    RPST
    t
    DQSS
    t
    WPRES
    t
    WPRE
    t
    WPST
    t
    DQSH
    t
    DQSL
    t
    IS
    t
    IH
    t
    DS
    t
    DH
    t
    HP
    t
    QH
    t
    RC
    t
    RFC
    t
    RAS
    t
    RCD
    t
    RP
    t
    RRD
    t
    WR
    t
    MRD
    t
    CCD
    t
    DAL
    t
    XSRD
    t
    PDEX
    t
    REFI
    t
    IPW
    t
    DIPW
    t
    HZ
    t
    LZ
    t
    QHS
    t
    DSS
    t
    DSH
    t
    WTR
    t
    XSNR
    时钟周期时间
    时钟高电平宽度
    时钟低电平宽度
    DQS进出时间从CK ，
    CK
    从CK输出访问时间，
    CK
    DQS -DQ歪斜
    阅读序言
    阅读后同步
    CK到有效DQS-中
    DQS -的建立时间
    DQS写序言
    DQS写后同步
    在高电平脉冲宽度DQS
    在低电平脉冲宽度DQS
    地址和控制输入建立时间
    地址和控制输入保持时间
    快速压摆率
    慢转换速率
    快速压摆率
    慢转换速率
    参数
    CL = 3
    分钟。
    4
    0.45
    0.45
    -0.6
    -0.6
    -
    0.9
    0.4
    0.85
    0
    0.35
    0.4
    0.4
    0.4
    0.6
    0.7
    0.6
    0.7
    0.4
    0.4
    t
    CLmin
    或T
    chmin
    t
    HP
    - t
    QHS
    52
    70
    36
    16
    16
    12
    12
    2
    1
    7
    200
    t
    CK
    + t
    IS
    -
    2.2
    1.75
    -
    -0.7
    -
    0.2
    0.2
    2
    75
    EM6A9160TSA
    -4
    马克斯。
    10
    0.55
    0.55
    0.6
    0.6
    0.4
    1.1
    0.6
    1.15
    -
    -
    0.6
    0.6
    0.6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    70K
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    15.6
    -
    -
    0.7
    0.7
    0.4
    -
    -
    -
    -
    单位
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    DQ & DM设置时间DQS
    DQ & DM保持时间DQS
    时钟半周期
    从DQS DQ / DQS输出保持时间
    行周期时间
    刷新行周期时间
    行活动时间
    ACTIVE读取或写入延迟
    行预充电时间
    行有效至行主动延迟
    写恢复时间
    模式寄存器设置循环时间
    上校地址上校地址的延迟
    自动预充电写恢复+预充电时间
    自刷新退出读命令延迟
    掉电退出时间
    刷新间隔时间
    CNTROL和地址输入脉冲宽度
    DQ & DM输入脉冲宽度（每个输入）
    数据从CK高阻抗窗口，
    CK
    数据从CK低阻抗窗口，
    CK
    数据保持倾斜因子
    DQS下降沿到CK上升 - 建立时间
    DQS下降沿到CK上升 - 保持时间
    内部写读命令延迟
    退出自刷新非读命令
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    µs
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    钰创机密
    12
    修订版1.1
    2009年8月

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