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EM6A9160TSA-4G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM6A9160TSA-4G
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 51 页 / 438 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
表15.直流特性
(V
DD
= 2.5V
±
5%, T
A
= 0~70
°C)
参数&测试条件
符号
工作电流:
一家银行;主动预充电;吨
RC
=t
RC
(分钟) ;
IDD0
t
CK
=t
CK
(分钟) ; DQ , DM和DQS输入每个时钟周期改变一次;
地址和控制输入改变每隔2个时钟周期。
工作电流:
一家银行;主动读预充电; BL = 4;
t
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;糊涂人= 0毫安;地址和控制输入改变IDD1
一旦每一个时钟周期
预充电掉电待机电流:
所有银行闲置;
IDD2P
掉电模式;吨
CK
=t
CK
(分钟) ; CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT :
CKE =高;
CS
= HIGH (取消选择) ;所有
银行闲置;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;地址和控制输入每改变一次
时钟周期; V
IN
=V
REF
针对DQ , DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流:
一家银行主动;加电
关闭模式; CKE =低;吨
CK
=t
CK
(分钟)
IDD2N
IDD3P
EM6A9160TSA
-4
马克斯。
130
单位
mA
150
15
50
40
90
mA
mA
mA
mA
mA
主动待机电流:
CS
= HIGH ; CKE =高;一家银行主动;
IDD3N
t
RC
=t
RC
(最大值) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ,地址和控制输入改变每一次
时钟周期; DQ , DQS和DM输入每个时钟周期改变的两倍
工作电流突发读:
BL = 2;上面写到可连拍;
一家银行主动;地址和控制输入,每个时钟周期改变一次; IDD4R
t
CK
=t
CK
(分钟) ;糊涂人= 0毫安; 50%的数据变化对每一个转移
工作电流突发写:
BL = 2;写操作;连续
爆;一家银行主动;地址和控制输入每个时钟改变一次
IDD4W
周期;吨
CK
=t
CK
(分钟) ; DQ , DQS和DM每个时钟周期改变的两倍; 50 %
数据的变化对每一个转移
自动刷新电流:
t
RC
=t
RFC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟)
自刷新电流:
自刷新模式; CKE
0.2V;t
CK
=t
CK
(分钟)
BURST工作电流4银行操作:
四大行交错读和写; BL = 4 ;具有自动预充电;吨
RC
=t
RC
(分钟) ;
t
CK
=t
CK
(分钟) ;仅在活动,读地址和控制inputschang ,
或写命令
IDD5
IDD6
190
mA
190
mA
210
6
mA
mA
IDD7
310
mA
钰创机密
11
修订版1.1
2009年8月