EtronTech
温度补偿自刷新
EM68932DVKB
为了降低功耗，移动DDR SDRAM包括内部温度传感器
和其它电路，以控制自动根据两个温度范围自刷新操作：
最大。 40℃和最大值。 85°C
表7. IDD6规格和条件
温度范围
马克斯。 40℃
马克斯。 85°C
自刷新电流（I
DD6
)
全阵列
200
160
全阵列的1/2
150
110
全阵列的1/4
120
90
单位
µA
µA
部分阵列自刷新
对于在自刷新进一步节省功耗，在PASR功能允许控制器选择量
的存储器，这将在自刷新刷新。刷新选项都是银行（银行0 ， 1 ， 2和
3）;两个存储体（存储体0和1）;一银行（银行0 ） 。读写命令仍然可以影响到任何一家银行
在标准的操作，但只对选定的银行将在自刷新刷新。在数据
未选择的银行将会丢失。
银行激活/列地址命令
银行激活/行地址命令，也称为激活命令，由持有发行
CAS
和
WE
高配
CS
和
RAS
低的时钟（CK）的上升沿。在DDR SDRAM有四个
独立的银行，所以两张银行选择地址（ BA0 ， BA1 ）是必需的。活动的命令必须是
在执行任何读或写操作之前应用。从活动命令到所述第一延迟
读或写命令必须达到或超过最低的
RAS
to
CAS
延迟时间（t
RCD
分钟）。一旦
银行已经被激活，它必须被预充电之前另一激活命令可以被施加到
同一家银行。穿插活动的命令（银行0至银行3 ，对之间的最小时间间隔
例如）是银行的银行延迟时间（t
RRD
分钟）。
突发读取操作
在DDR SDRAM的突发读取操作是通过发出启动
CS
和
RAS
LOW同时举行
RAS
和
WE
在高时钟（ CK ）的tRCD的后，从激活命令的上升沿。地址输入
（ A0 〜 A7 ）确定的起始地址连拍。该模式寄存器设置突发类型（顺序
或交错）和脉冲串长度（2 ，4或8）。所述第一输出数据是后可用
CAS
潜伏期
从读命令，而连续的数据比特上的上升沿和下降沿呈现
数据选通（ DQS）的DDR SDRAM所提供，直到突发完成。
突发写操作
由具有颁发突发写入命令
CS
,
CAS
和
WE
LOW同时举行
RAS
高在
时钟（ CK ）的上升沿。地址输入确定的起始列地址。没有写
潜伏期相对于DQS所需突发写周期。所述第一数据的突发写周期必须
吨后，施加在数据选通信号的第一个上升沿启动
DQSS
从时钟时的上升沿
写命令发出。其余的数据输入必须在每个连续的下降沿提供
及数据选通的上升沿为止的脉冲串长度被完成。后的脉冲串已结束时，任何
提供到DQ管脚附加数据将被忽略。
钰创机密
10
1.0版
2009年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
