EtronTech
DM屏蔽功能
EM68932DVKB
在DDR SDRAM中具有数据掩码功能，可以在只用数据写周期一起使用，
不读周期。当数据掩码是在写操作期间被激活（DM高） ，写入数据是
立即屏蔽（ DM到数据面膜延迟为零） 。必须在上升沿发出DM或下降沿
数据选通的，而不是在一个时钟沿边缘。
自动预充电操作
自动预充电是一种功能，它作为描述执行同一个人银行预充电功能
以上，但不要求显式命令。这是通过使用A10 （A10 =高）来实现，以
在一个特定的读或写命令一起启用自动预充电。该行的预充电/
完成时，自动执行与该READ或WRITE命令寻址的行
在读或写突发。自动预充电是不可持久的，因为它是已启用或禁用每个
个人读或写命令。自动预充电可以确保预充电是在最早的启动
一个突发内有效的阶段。用户不得发出另一个命令到同一家银行，直到
预充电时间（t
RP
）就完成了。当自动预充电命令被激活，激活银行
自动开始在读预充电尽早时刻或T后写周期
RAS
（分钟）的关系。
预充电命令
预充电命令发出时，
CS
,
RAS
和
WE
低，而且
CAS
高在上升沿
时钟（ CK ）的。预充电命令可以用来单独预充电任何银行或全部银行
同时。银行选择地址（ BA0 ， BA1 ）用来定义哪些银行预充电时
该命令被启动。对于写周期，叔
WR
（分钟）必须从过去的突发写入开始得到满足
循环直到预充电命令发出。吨后
RP
从预充电，激活命令到
同一家银行可以启动。
自动刷新
由具有发出自动刷新命令
CS
,
RAS
和
CAS
与CKE保持低电平，
WE
在高
的时钟（CK）的上升沿。所有银行都必须预充电和闲置的汽车前，色氨酸（分钟）
刷新命令应用。刷新寻址由内部刷新地址计数器生成的。
这使得地址位
“
不在乎
＂
在一个自动刷新命令。时的刷新周期是
完成后，所有银行将在空闲状态。自动刷新命令和下之间的延时
激活命令或随后自动刷新命令必须大于或等于所述吨
RFC
（最小值） 。
自刷新
自刷新命令由具有限定
CS
,
RAS
,
CAS
和CKE低配
WE
高在上升
时钟（ CK ）的边缘。一旦自刷新命令已启动， CKE必须保持低电平以保持
该装置在自刷新模式。在自刷新操作，除CKE所有的输入将被忽略。该
时钟是自刷新操作期间，内部禁用，以降低功耗。要退出自
刷新模式， CKE返回前高提供稳定的时钟输入端，主张取消或NOP指令，
然后断言CKE高。
掉电模式
该器件进入掉电模式时， CKE被拉低，并且在退出时返回CKE高。一旦
在掉电模式下启动，所有除CK和CKE接收器电路的门被关闭以减少
功耗。所有银行都必须处于空闲状态进入预充电掉电模式之前，
和CKE应至少设置高t
XP
前一个活动的命令。在掉电模式下，刷新
操作不能被执行;因此，该装置必须保持在掉电模式的时间更短
比刷新期间（t
REF
）该装置。
钰创机密
12
1.0版
2009年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
