EtronTech
模式寄存器设置（ MRS）
EM68932DVKB
该模式寄存器存储数据，控制DDR SDRAM的各种操作模式。它的程序
CAS
延迟，突发类型，和突发长度，以使所述移动DDR SDRAM的有用的，适用于各种
应用程序。模式寄存器的默认值是没有定义;因此，模式寄存器必须是
由用户写入。存储在寄存器中的值将被保留，直至寄存器被重新编程时，
设备进入深度节能模式，或者电源从设备中删除。该模式寄存器写入
通过置低
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
， BA1和BA0 （设备应该有所有银行闲置，没有
突发写入模式寄存器之前进步， CKE要高） 。地址的状态
管脚A0〜 A11和BA0 ， BA1 ，在同一周期中
CS
,
RAS
,
CAS
和
WE
被认定为低
写入模式寄存器。至少需要两个时钟周期，T
MRD
，需要完成写
在操作模式寄存器。该模式寄存器分为视功能的各个领域。
突发长度用A0 〜 A2 ，突发类型采用A3和
CAS
延迟（读列地址的延迟）
使用A4 〜 A6 。逻辑0应该被编程为所有未定义的地址，以确保未来的兼容性。
保留的国家不应该被用来避免未知设备的操作或不符合未来
版本。请参阅下表为各种突发长度特定的代码，突发类型和
CAS
潜伏期。
表4.模式寄存器的位图
BA1 BA0 A11 A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0地址字段
0
0
0
0
0
CAS延迟
BT
突发长度
模式寄存器
A6 A5 A4 CAS延迟
0
0
0
版权所有
0
0
1
版权所有
0
1
0
2
0
1
1
3
1
0
0
版权所有
1
0
1
版权所有
1
1
0
版权所有
1
1
1
版权所有
A3突发类型
0顺序
1交错
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
突发长度
版权所有
2
4
8
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
CK
CK
命令
NOP
PRE
所有
NOP
NOP
太太
*1
NOP
任何
命令
NOP
NOP
t
RP*2
t
MRD
= 2*t
CK
* 1 ：刘健只能在空闲状态下的所有银行发行。
* 2 ：色氨酸的最小延迟发出MRS命令之前需要。
不在乎
图3.德寄存器设置循环
钰创机密
7
1.0版
2009年8月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
