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M24D16161DA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M24D16161DA
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内容描述: 16兆位( 1M ×16 )伪静态RAM [16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 350 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
开关特性在工作范围[ 9 , 10 , 11 , 15 , 14 ]
参数
写周期[ 15 ]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
CD
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
注意:
写周期时间
低CE1和CE2 HIGH撰写完
地址建立撰写完
芯片取消时间CE1 =高或CE2 =低,
BLE
/
BHE
高脉冲时间
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE
脉冲宽度
BLE
/
BHE
低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE
从低到高- Z [ 10 , 11 , 12 ]
WE
前高后低- Z [ 10 , 11 , 12 ]
M24D16161DA
(续)
-70
分钟。
70
60
60
15
0
0
50
60
25
0
25
10
马克斯。
40000
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
15.存储器的内部写时间是由重叠定义
WE
, CE1 = V
IL
或CE2 = V
IH
,
BHE
和/或
BLE
= V
IL
.
所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。数据
输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
6/12