ESMT
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地Potential. - 0.2V至V
CCmax
+ 0.3V
直流电压应用到输出的
在高Z状态[ 5 ， 6 ， 7 ] ........................- 0.2V至V
CCmax
+ 0.3V
直流输入电压[5 ，6，7 ] ....................- 0.2V至V
CCmax
+ 0.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
M24D16161DA
静电放电电压.......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度（T
A
)
−40°C
至+ 85°C
V
CC
1.7V至1.95V
直流电气特性（在工作范围） [ 5 ， 6 ， 7 ]
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
自动CE
掉电
当前
-CMOS输入
测试条件
分钟。
1.7
I
OH
=
−0.1
mA
V
CC
= 1.7V至1.95V
I
OL
= 0.1毫安，
V
CC
= 1.7V至1.95V
V
CC
= 1.7V至1.95V
V
CC
= 1.7V至1.95V
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
CE
≥
V
CC
−
0.2V ， CE2
≤
0.2V, V
IN
＆ GT ; V
CC
−
0.2V, V
IN
＆ LT ; 0.2V ，女= F
最大
（地址及
仅数据） ， F = 0
（ OE ，
WE
,
BHE
和
BLE
), V
CC
=3.60V
-70
Typ.[4]
1.8
马克斯。
1.95
单位
V
V
0.2
V
V
V
µA
µA
mA
mA
V
CC
-0.2
0.8* V
CC
-0.2
-1
-1
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
18
3
V
CC
+0.3V
0.2* V
CC
+1
+1
25
5
I
SB1
55
70
µA
I
SB2
CE1
≥
V
CC
−0.2V,
CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
−
0.2V或V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，V
CC
=
V
CCmax
,
55
70
µA
Capacitance[8]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热电阻[8]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准测试方法
以及用于测量热过程
阻抗，按照EIA / JESD51 。
VFBGA
56
11
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
7.Overshoot和欠规范的特点，不是100 ％测试。
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数8.Tested 。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
4/12
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
