ESMT
交流测试负载和波形
M24D16161DA
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
1.8V V
CC
14000
14000
7000
1.90
单位
Ω
Ω
Ω
V
开关特性在工作范围[ 9 ， 10 ， 11 ， 15 ， 14 ]
参数
读周期
t
RC
[13]
t
CD
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
读周期时间
芯片取消时间CE1 =高或CE2 =低，
BLE
/
BHE
高脉冲时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
描述
-70
分钟。
70
15
70
5
70
35
5
25
10
25
70
5
25
马克斯。
40000
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE1低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z [ 10 ， 11 ， 12 ]
OE高来高Z [ 10 ， 11 ， 12 ]
低CE1和CE2高后低Z [ 10 ， 11 ， 12 ]
高CE1和CE2低到高Z [ 10 ， 11 ， 12 ]
BLE
/
BHE
低到数据有效
BLE
/
BHE
低到低Z [ 10 ， 11 ， 12 ]
BLE
/
BHE
高来高Z [ 10 ， 11 ， 12 ]
注意事项：
9.测试条件比三态参数之外的所有参数假设1纳秒/ V，定时基准信号过渡时间
V水平
CC （典型值）。
/ 2 ，输入脉冲为0V电平到V
CC
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图所示，在“交流测试负载
和波形“部分。
10.在任何给定的温度和电压条件下吨
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和
t
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。所有低Z参数将具有30 pF的（3V）的负载电容进行测量。
11. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
12.高阻抗和低阻抗参数为特征，并未经过100 ％测试。
13 。如果无效的地址信号要比分钟短。吨
RC
被连续重复40微秒，该装置需要一个正常读出时序
(t
RC
），或者需要在每40微秒输入至少一次的待机状态。
14.为了实现70 ns的性能，所读取的访问必须是芯片使能控制（ CE1或CE2 ） 。即，在
地址必须是稳定之前，芯片使能持续活跃。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2007年7月
调整
:
1.0
5/12
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
