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    M24D16161DA 参数 Datasheet PDF下载

    M24D16161DA图片预览
    型号： M24D16161DA
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 16兆位（ 1M ×16 ）伪静态RAM [16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 350 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24D16161DA的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    引脚配置[2 ， 3 ]
    48球VFBGA
    顶视图
    M24D16161DA
    产品系列[ 4 ]
    功耗
    产品
    分钟。
    M24D16161DA
    1.7
    V
    CC
    范围（V ）
    Typ.[4]
    1.8
    最大
    1.95
    速度快（纳秒）
    我的操作
    CC
    （MA ）
    F = 1MHz的
    F =最大频率
    .TYP 。 [ 4 ]最大。
    .Typ.[4]
    最大
    3
    5
    18
    20
    待我
    SB2
    (µA)
    .TYP 。 [4]
    55
    最大
    70
    70
    加电特性
    初始化序列示于下图。芯片
    选择要OE1高或低CE2至少200微秒
    经过V
    CC
    已经达到一个稳定值。无访问必须是
    在此期间， 200微秒的企图。
    参数
    T
    PU
    描述
    芯片使能稳定低V后
    CC
    分钟。
    200
    马克斯。
    单位
    µs
    注意事项：
    2.Ball H6和E3可以用来提升到32兆位和64兆位密度。
    3.NC “无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
    4.Typical值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
    CC
    = V
    CC （典型值）
    和T
    A
    = 25°C 。最初设计的变化，可能影响到参数后进行测试。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期
    :
    2007年7月
    调整
    :
    1.0
    3/12

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