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    M52D128168A-7TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-7TG图片预览
    型号： M52D128168A-7TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×16位×4手机银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器手机
    文件页数/大小： 48 页 / 1178 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第29页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第34页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第37页  
    ESMT  
    M52D128168A  
    Page Read & Write Cycle at Same Bank @ Burst Length = 4  
    Note: 1. To Write data before burst read ends. DQM should be asserted three cycle prior to write command to avoid bus  
    contention.  
    2. Row precharge will interrupt writing. Last data input, tRDL before row precharge, will be written.  
    3. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst.  
    Input data after Row precharge cycle will be masked internally.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2009  
    Revision: 1.3 33/48  

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