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    M52D128168A-7TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-7TG图片预览
    型号： M52D128168A-7TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×16位×4手机银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器手机
    文件页数/大小： 48 页 / 1178 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第30页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第31页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第32页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第33页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第35页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第36页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第37页浏览型号M52D128168A-7TG的Datasheet PDF文件第38页  
    ESMT  
    M52D128168A  
    Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4  
    Note: 1. CS can be don’t cared when RAS , CAS and WE are high at the clock high going edge.  
    2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.  
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
    Publication Date: Aug. 2009  
    Revision: 1.3 34/48  

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