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M32L1632512A-7Q 参数 Datasheet PDF下载

M32L1632512A-7Q图片预览
型号: M32L1632512A-7Q
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内容描述: [Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100,]
分类和应用: 时钟动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 54 页 / 877 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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M32L1632512A  
4. CAS Interrupt ( ) : Read Interrupted by Write & DQM  
(1) CL=2, BL=4  
C L K  
i )C M D  
R D  
R D  
R D  
W R  
D 0  
DQ M  
D 1  
DQ  
D 2  
D 3  
i i )C M D  
W R  
DQ M  
DQ  
H i - Z  
D 0  
D 1  
D 2  
D 3  
i i i )C M D  
W R  
D Q M  
D Q  
H i - Z  
D 2  
D 0  
D 3  
D 1  
W R  
i v )C M D  
R D  
D Q M  
DQ  
H i - Z  
Q 0  
D 2  
D 0  
D 1  
D 3  
*N o t e 1  
(2) CL=3 , BL=4  
C L K  
i )C M D  
R D  
W R  
D 0  
D Q M  
D Q  
D 3  
D 2  
D 1  
W R  
i i )C M D  
D Q M  
R D  
R D  
R D  
R D  
D 0  
D 1  
D 2  
D 3  
D Q  
i i i )C M D  
D Q M  
W R  
D 0  
D 1  
D 2  
D 3  
D 2  
D 1  
DQ  
i v)C M D  
D Q M  
W R  
H i - Z  
D 0  
D 3  
D Q  
D 1  
W R  
v) C M D  
D Q M  
H i - Z  
D 0  
D Q  
Q 0  
D 2  
D 3  
* N o t e 2  
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.  
2. To prevent bus contention, DQM should be issued which makes at least one gap between data in and data out.  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jun. 2001  
Revision : 1.6 22/54  
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