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M32L1632512A-7Q 参数 Datasheet PDF下载

M32L1632512A-7Q图片预览
型号: M32L1632512A-7Q
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内容描述: [Synchronous DRAM, 512KX32, 6ns, CMOS, PQFP100,]
分类和应用: 时钟动态存储器内存集成电路
文件页数/大小: 54 页 / 877 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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M32L1632512A  
5. Write Interrupted by Precharge & DQM  
C L K  
* N o t e 2  
C MD  
P R E  
W R  
D 0  
* N o t e 1  
D Q M  
D Q  
D 2  
D 3  
D 1  
M a s k e d b y D Q M  
*Note : 1. To inhibit invalid write, DQM should be issued.  
2. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge interrupt  
but only another bank precharge of dual banks operation.  
6. Precharge  
1) Normal Write (BL = 4)  
2) Block Write  
C L K  
C MD  
C L K  
C MD  
P R E  
P R E  
W R  
D 0  
B W  
DQ  
P i x e l  
D 2  
D 3  
D Q  
D 1  
t B P L  
* N o t e 1  
t R D L  
* N o t e 1  
3) Read (BL=4)  
C L K  
C M D  
P R E  
R D  
1* N o t e 2  
Q 3  
Q 2  
D Q ( C L 2 )  
D Q ( C L 3 )  
Q 0  
Q 1  
Q 2  
Q 1  
2
Q 0  
Q 3  
7. Auto Precharge  
1) Normal Write (BL = 4)  
2) Block Write  
C L K  
C MD  
D Q  
C L K  
C M D  
DQ  
B W  
W R  
D 0  
D 2  
D 3  
D 1  
P i x e l  
t B P L  
t R P  
t B A L  
* N o t e 3  
A u t o P r e c h a r g e s t a r t s  
* N o t e 3  
Au t o P r e c h a r g e s t a r t s  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jun. 2001  
Revision : 1.6 23/54  
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