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M14D5121632A-2.5BBG2A 参数 Datasheet PDF下载

M14D5121632A-2.5BBG2A图片预览
型号: M14D5121632A-2.5BBG2A
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, BGA-84]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 64 页 / 1089 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC Overshoot / Undershoot Specification
Parameter
Pin
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT, CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
Address, CKE, CS , RAS , CAS ,
WE
,
ODT,
CLK, CLK , DQ, DQS, DQS
,
DM
M14D5121632A (2A)
Value
-1.5 / 1.8
0.5
-2.5
0.5
Unit
Maximum peak amplitude allowed for
overshoot
Maximum peak amplitude allowed for
undershoot
V
0.5
0.5
V
0.5
0.19
0.5
0.19
0.66
0.23
0.66
0.23
V-ns
V-ns
V-ns
V-ns
Maximum overshoot area above V
DD
Maximum undershoot area below V
SS
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : Oct. 2016
Revision : 1.0
9/64