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    M13S5121632A-4TG2A 参数 Datasheet PDF下载

    M13S5121632A-4TG2A图片预览
    型号： M13S5121632A-4TG2A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
    文件页数/大小： 47 页 / 969 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S5121632A-4TG2A的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    Functional Block Diagram
    M13S5121632A (2A)
    DQ0 - 15
    UDQS, LDQS
    DLL
    I/O Buffer
    DQS Buffer
    Memory
    Array
    Bank#0
    Memory
    Array
    Bank#1
    Memory
    Array
    Bank#2
    Memory
    Array
    Bank#3
    Mode Register
    Control Circuitry
    Address Buffer
    Clock Buffer
    A0-12
    BA0,1
    CLK
    CLK
    CKE
    Control Signal Butter
    CS
    RAS CAS WE
    DM
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date : May 2012
    Revision : 1.1
    2/47

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