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M13S2561616A-5BIG2S 参数 Datasheet PDF下载

M13S2561616A-5BIG2S图片预览
型号: M13S2561616A-5BIG2S
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内容描述: [DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-60]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 49 页 / 1245 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S2561616A (2S)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
PACKING DIMENSIONS  
66-LEAD  
TSOP(II)  
DDR DRAM(400mil)  
Symbol  
Dimension in inch  
Dimension in mm  
Min  
Norm  
Max  
Min  
Norm  
Max  
1.2  
A
A1  
A2  
b
0.047  
0.006  
0.041  
0.015  
0.013  
0.008  
0.006  
0.002  
0.037  
0.009  
0.009  
0.005  
0.0047  
0.004  
0.039  
0.05  
0.95  
0.22  
0.22  
0.12  
0.12  
0.1  
1
0.15  
1.05  
0.38  
0.33  
0.21  
0.16  
b1  
c
0.012  
0.3  
c1  
D
0.005  
0.127  
22.22 BSC  
0.71 REF  
11.76  
0.875 BSC  
0.028 REF  
0.463  
ZD  
E
0.455  
0.016  
0.471  
0.024  
11.56  
0.4  
11.96  
0.6  
E1  
e
0.400 BSC  
0.026 BSC  
0.02  
10.16 BSC  
0.65 BSC  
0.5  
L
L1  
θ°  
0.031 REF  
0.80 REF  
0°  
8°  
0°  
8°  
θ1°  
10°  
15°  
20°  
10°  
15°  
20°  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jan. 2015  
Revision : 1.0  
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