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M13S2561616A-5BIG2S 参数 Datasheet PDF下载

M13S2561616A-5BIG2S图片预览
型号: M13S2561616A-5BIG2S
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内容描述: [DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-60]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 49 页 / 1245 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT  
M13S2561616A (2S)  
Operation Temperature Condition -40°C~85°C  
DM Function (@ BL=8) only for write  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
C L K  
C L K  
H I GH  
C K E  
C S  
R A S  
C A S  
B A 0 , B A 1  
A1 0 /AP  
BAa  
C a  
A D D R  
( A 0 ~ A n )  
W E  
D Q S  
D a2  
D a 1  
Da 4 D a 5  
D a 7  
Da 0  
D a 3  
D a 6  
D Q  
D M  
C O M M A N D  
WRITE  
:
D o n ’ t c a r e  
1 0 1 2 2 B 1 6 R . B  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jan. 2015  
Revision : 1.0 42/49  
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