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M12L16161A-5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M12L16161A-5TIG图片预览

型号：	M12L16161A-5TIG
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	512K X 16位X 2Banks同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	29 页 / 698 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

M12L16161A

Operation temperature condition -40℃~85℃

Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

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14

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15

16

17

19

CLOCK

CKE

HIGH

tRRD

C S

R A S

CAS

ADDR

RAc

RAa

CAa

RBb

CBb

CAc

BA

RAa

RBb

RAc

A10/AP

CL=2

*Note1

tCDL

QAa0 QAa1 QAa2 QAa3

DBb0 DBb1 DBb2 DBb3

DBb0 DBb1 DBb2 DBb3

QAc0 QAc1 QAc2

QAc0 QAc1

DQ

QAa1

CL=3

WE

QAa0

QAa2 QAa3

DQM

Write

(B-Bank)

Read

(A-Bank)

Read

(A-Bank)

Precharge

(A-Bank)

Row Active

(A-Bank)

Row Active

(A-Bank)

Row Active

(B-Bank)

: D o n ' t C a r e

*Note: 1.t^CDLshould be met to complete write.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2007

Revision : 1.1 18/29

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