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    EM42BM3284LBA_09 参数 Datasheet PDF下载

    EM42BM3284LBA_09图片预览
    型号： EM42BM3284LBA_09
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1GB （ 8M × 4Bank × 32 ），双倍数据速率SDRAM [1Gb (8M×4Bank×32) Double DATA RATE SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 24 页 / 1075 K
    品牌： EOREX [ EOREX CORPORATION ]
     浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第16页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第17页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第18页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第19页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第20页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第21页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第23页浏览型号EM42BM3284LBA_09的Datasheet PDF文件第24页  
    eorex  
    EM42BM3284LBA  
    Output Drive Strength  
    The normal drive strength got all outputs is specified to be LV-CMOS. By setting EMRS specific parameter  
    on A6 and A5, driving capability of data output drivers is selected.  
    Temperature Compensated Self-Refresh  
    TCSR controlled by programming in the extended mode register (EMRS). The memory automatically  
    changes the self-refresh cycle by temperature fluctuations.  
    Partial Array Self Refresh  
    In EMRS setting ,memory array size to be refreshed during self-refresh operation is programmable in order  
    to reduce power. Data outside the defined area will not be retained during self-refresh.  
    Feb. 2009  
    www.eorex.com  
    22/24  

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