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HM5225805BLTT-75 参数 Datasheet PDF下载

HM5225805BLTT-75图片预览
型号: HM5225805BLTT-75
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内容描述: LVTTL 256M SDRAM接口的133 MHz / 100 MHz的4 Mword 】 16位】 4银行/ 8 - Mword 】 8位】 4银行/ 16 Mword 】 4位】 4银行PC / 133 , PC / 100 SDRAM [256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器PC时钟
文件页数/大小: 63 页 / 454 K
品牌: ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
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HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6  
Notes: 1. ICC depends on output load condition when the device is selected. ICC (max) is specified at the  
output open condition.  
2. One bank operation.  
3. Input signals are changed once per one clock.  
4. Input signals are changed once per two clocks.  
5. Input signals are changed once per four clocks.  
6. After power down mode, CLK operating current.  
7. After power down mode, no CLK operating current.  
8. After self refresh mode set, self refresh current.  
9. Input signals are VIH or VIL fixed.  
Capacitance (Ta = 25°C, VCC, VCCQ = 3.3 V ± 0.3 V)  
Parameter  
Symbol  
CI1  
Min  
2.5  
2.5  
4
Max  
3.5  
3.8  
6.5  
Unit  
pF  
Notes  
Input capacitance (CLK)  
Input capacitance (Input)  
Output capacitance (DQ)  
1, 2, 4  
1, 2, 4  
1, 2, 3, 4  
CI2  
pF  
CO  
pF  
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.  
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.  
3. DQM, DQMU/DQML = VIH to disable Dout.  
4. This parameter is sampled and not 100% tested.  
Data Sheet E0082H10  
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