DS1302涓流充电时钟芯片
时钟/日历突发模式
时钟/日历命令字节指定突发模式操作。在这种模式中，前八个时钟/日历
寄存器可以被连续地读出或写入（见表2）开始位地址0的位0。
如果写保护位被设置为高时，指定一个写时钟/日历连拍模式时，没有数据传输将想到
所有八个时钟/日历寄存器（包括控制寄存器） 。涓流充电器不在访问
突发模式。
在一个时钟的开始脉冲串读出，当前时间被转移到第二组寄存器。时间
信息从这些辅助寄存器读取，此时时钟可以继续运行。这消除了需要
在读出重新读出的情况下的主要寄存器的更新的寄存器。
内存
静态RAM是31 ×8字节的RAM地址空间寻址连续。
RAM突发模式
在RAM命令字节指定突发模式操作。在这种模式下， 31 RAM寄存器可以是连续
读出或写入（见表2）开始位地址0的位0。
注册摘要
中的寄存器数据格式概述显示在表2中。
晶体的选择
一个32.768kHz晶体可以通过引脚2和3 （ X1 ， X2）直接连接到DS1302 。所选择的用于晶体
使用应该有一个指定的负载电容（C
L
）为6.0pF的。关于水晶的选择和水晶的详细信息
布局的考虑，请参阅
应用笔记58 ：水晶注意事项达拉斯实时时钟。
图5.数据传输汇总
单字节读
CE
SCLK
I / O
R/
W
A0
A1
A2
A3
A4
R/
C
1
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
单字节写
CE
SCLK
I / O
R/
W
A0
A1
A2
A3
A4
R/
C
1
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
注意：
在突发模式下， CE保持高电平和附加SCLK周期后才开始脉冲结束时发送。
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DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
