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DS1302N+ 参数 Datasheet PDF下载

DS1302N+图片预览
型号: DS1302N+
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内容描述: 涓流充电时钟芯片 [Trickle-Charge Timekeeping Chip]
分类和应用: 外围集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 16 页 / 649 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1302涓流充电时钟芯片
命令字节
图4示出命令字节。命令字节开始每次数据传输。的MSB (位7)必须是逻辑
1.如果它为0时,写DS1302的将被禁用。第6位指定的时钟/日历数据,如果,如果逻辑0或RAM中的数据逻辑1 。
位1至5中指定的指定寄存器为输入或输出,和LSB (位0 )指定一个写操作
(输入)如果逻辑0或读操作(输出) ,如果逻辑1.命令字节总是输入开始从LSB (位0) 。
图4.地址/命令字节
7
1
6
内存
CK
5
A4
4
A3
3
A2
2
A1
1
A0
0
RD
WR
CE和时钟控制
驱动CE输入高启动所有的数据传送。行政长官输入提供两个功能。首先,CE接通
控制逻辑,允许访问所述移位寄存器的地址/命令序列。第二, CE信号
提供终端可以是单字节或多字节的CE数据传输的方法。
的时钟周期是一个上升沿之后的下降沿的时序。用于数据输入,数据必须是在有效
的时钟和数据位的上升沿是在时钟的下降沿输出。如果CE输入为低时,所有的数据
转让终止和I / O引脚变为高阻状态。图5示出的数据传输。在上电时, CE的
必须是一个逻辑0直至V
CC
> 2.0V 。另外, SCLK必须为逻辑0时的CE被驱动到逻辑1状态。
数据输入
以下的8个SCLK周期即输入一个写入命令字节,数据字节被输入上的下一个上升沿
8个SCLK周期。额外的SCLK周期应该忽略他们在不经意间发生。数据输入开始的
位0 。
数据输出
以下的8个SCLK周期是输入读命令字节,数据字节是上的下降沿输出
接下来的8个SCLK周期。注意,第一个数据位要被发送发生在第一个下降沿的最后一位后
命令字节的写入。额外的SCLK周期重传数据字节应不慎发生
只要CE仍然很高。此操作允许连拍模式下阅读能力。此外, I / O引脚为三
根据SCLK的每个上升沿表示。数据输出起始位0 。
突发模式
连拍模式可针对时钟/日历或RAM寄存器通过解决位置31十进制指定
(地址/命令位1〜 5 =逻辑1) 。和以前一样, 6位指定的时钟或RAM和第0位指定读或
写。没有数据存储容量地点9到31的时钟/日历寄存器或位置31
的RAM寄存器。读取或突发模式写入开始位地址0 0 。
当写在突发模式中的时钟寄存器,第8 ,写入时必须以使数据
被转移。然而,写入到RAM中的突发模式时,没有必要写所有31字节的数据,以
传输。被写入每个字节将被转移到RAM不管所有31个字节是否被写入或没有。
时钟/日历
通过读取相应的寄存器字节获得的时间和日历信息。表2示出了实时时钟
寄存器。时间和日历设置,或通过写入相应的寄存器的字节初始化。的内容
时间和日历寄存器中的二进制编码的十进制(BCD)格式。
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