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DS1302N+ 参数 Datasheet PDF下载

DS1302N+图片预览
型号: DS1302N+
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内容描述: 涓流充电时钟芯片 [Trickle-Charge Timekeeping Chip]
分类和应用: 外围集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 16 页 / 649 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1302涓流充电时钟芯片
电容
(T
A
= +25°C)
参数
输入电容
I / O容量
符号
C
I
C
I / O
典型值
10
15
最大
单位
pF
pF
AC电气特性
(T
A
= 0°C至+ 70°C或T
A
= -40 ° C至+ 85°C 。 ) (注1 )
参数
数据CLK设置
CLK到数据保持
CLK数据延迟
CLK低的时间
CLK高电平时间
CLK频率
CLK兴衰
CE到CLK建立
CLK到CE保持
CE非活动时间
CE到I / O高阻抗
SCLK为I / O高阻抗
注1 :
注2 :
注3 :
注4 :
注5 :
注6 :
注7 :
注8 :
注9 :
注10 :
注11 :
注12 :
注13 :
符号
V
CC
= 2.0V
t
DC
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
鼎晖
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CDD
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CL
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CH
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CLK
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
R
, t
F
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CC
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CCH
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CWH
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CDZ
V
CC
= 5V
V
CC
= 2.0V
t
CCZ
V
CC
= 5V
条件
(注6 )
(注6 )
(注6 , 7 , 8 )
(注6 )
(注6 )
(注6 )
200
50
280
70
1000
250
1000
250
DC
4
1
240
60
4
1
典型值
最大
单位
ns
ns
800
200
ns
ns
ns
0.5
2.0
2000
500
兆赫
ns
µs
ns
µs
(注6 )
(注6 )
(注6 )
(注6 )
(注6 )
280
70
280
70
ns
ns
限制在-40°C通过设计保证,不生产测试。
所有电压以地为参考。
I
CC1T
CC2T
用我指定/ O开放,CE和SCLK设置为逻辑0 。
I
CC1A
CC2A
与I / O引脚开路, CE高, SCLK = 2MHz的在V指定
CC
= 5V ; SCLK = 500kHz的,V
CC
= 2.0V.
CE ,SCLK和I / O都具有40kΩ的下拉电阻到地。
测量V
IH
= 2.0V或V
IL
= 0.8V和最大10ns的上升和下降时间。
测量V
OH
= 2.4V或V
OL
= 0.4V.
负载电容50pF的= 。
I
CC1S
CC2S
指定通过CE , I / O和SCLK开放。
V
CC
= V
CC2
当V
CC2
& GT ; V
CC1
+ 0.2V; V
CC
= V
CC1
当V
CC1
& GT ; V
CC2
.
V
CC2
= 0V.
V
CC1
= 0V.
典型值为+ 25°C 。
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