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DS1302N+ 参数 Datasheet PDF下载

DS1302N+图片预览
型号: DS1302N+
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内容描述: 涓流充电时钟芯片 [Trickle-Charge Timekeeping Chip]
分类和应用: 外围集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 16 页 / 649 K
品牌: DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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DS1302涓流充电时钟芯片
一天,一周的增量寄存器在午夜。对应于星期几的值是用户定义的,但
必须是连续的(也就是说,如果1等于星期日,那么2等于星期一,依此类推)。不合逻辑的时间和日期的项
导致不确定的操作。
当读取或写入的日期和时间寄存器,二次(用户)缓冲区用于防止错误时的
内部寄存器更新。当读取时间和日期寄存器,用户缓冲器被同步到
内部寄存器的CE的上升沿。
倒计时链复位时的秒寄存器写入。写传输发生在下降沿
CE 。为了避免过渡的问题,一旦倒计时链复位,剩余的时间和日期寄存器必须是
写在1秒内。
在DS1302可在任一12小时或24小时模式下运行。位的时间的7寄存器被定义为12或24
小时模式选择位。当高, 12小时模式选择。在12小时模式下,第5位是
AM /
下午有位
逻辑高电平表示PM 。在24小时模式下,第5位是第二个10小时位( 20-23小时) 。小时的数据必须是
重新初始化时的12 /
24
位被改变。
时钟暂停标志
位秒7寄存器被定义为时钟停止(CH )标志。当此位被设置为逻辑1时,时钟振荡器
被停止,并且DS1302被置于低功耗待机模式以小于100nA的电流消耗。当
此位为逻辑0时,时钟将启动。在初始上电状态没有定义。
写保护位
位控制寄存器的第7是写保护位。第7位( 0〜6)被强制为0,始终为0
当读取。前的任何写操作时钟或RAM中, 7位必须为0。当高时,写保护位
防止进行写操作的任何其它寄存器。在初始上电状态没有定义。因此, WP位
试图写入到设备之前,应清除。
涓流充电注册
该寄存器控制DS1302的涓流充电特性。图6示出的简化示意
涓流充电器的基本组成部分。涓流充电选择( TCS )位( 4 〜7 )控制的选择
涓流充电。为了防止意外使,只有1010模式使慢速充电器。所有其他
模式将禁止涓流充电。在DS1302上电时,涓流充电器禁用。二极管的选择
( DS)的位(位2和3)选择是否一个二极管或两个二极管分别连接V之间
CC2
和V
CC1
。如果DS为01 ,
一个二极管被选择,或者如果DS为10 ,两个二极管都被选中。如果DS为00或11 ,那么充电器被禁止
TCS无关。将RS位(位0和1)选择连接V的电阻
CC2
和V
CC1
。该
电阻器的电阻选定的选择(RS )位如下:
RS位
00
01
10
11
电阻器
R1
R2
R3
典型
价值
2kΩ
4kΩ
8kΩ
如果RS为00 ,涓流充电器是独立TCS的禁用。
二极管和电阻器的选择由用户根据所述最大电流确定所需的电池或
超级电容充电。最大充电电流可以计算为示于下面的例子。
假定5V的系统电源被施加到V
CC2
和超级电容连接到V
CC1
。同时,假设
涓流充电器已经使能与V之间的一个二极管和电阻R1
CC2
和V
CC1
。最大
电流I
最大
因此将计算如下:
I
最大
= ( 5.0V - 二极管压降) / R1
( 5.0V - 0.7V ) / 2kΩ的
2.2mA
为超级电容充电,V之间的电压降
CC2
和V
CC1
减小,因此,充电电流
减小。
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