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CY7C1380D-167AXC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1380D-167AXC图片预览
型号: CY7C1380D-167AXC
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内容描述: 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线SRAM [18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 1186 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1380D , CY7C1380F
CY7C1382D , CY7C1382F
真值表
手术
取消循环,掉电
取消循环,掉电
取消循环,掉电
取消循环,掉电
取消循环,掉电
睡眠模式,省电
读周期,开始突发
读周期,开始突发
写周期,开始突发
读周期,开始突发
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读周期,继续突发
读周期,继续突发
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读周期,继续突发
写周期,继续突发
写周期,继续突发
读周期,暂停突发
读周期,暂停突发
读周期,暂停突发
读周期,暂停突发
写周期,暂停突发
写周期,暂停突发
添加。二手
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三州
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三州
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三州
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D
注意事项:
4, X =无关, H =逻辑高电平,L =逻辑低电平。
5.写= L时,任何一个或多个字节写使能信号,和BWE = L或GW = L WRITE = H ,当所有字节写使能信号, BWE , GW = H。
6. DQ管脚由当前周期和所述参考信号的控制。 OE是异步的,并且不采样的时钟。
7. SRAM总是启动时ADSP是断言一个读周期,无论GW , BWE ,或BW的状态
X
。写只能在下一时钟发生
在ADSP后或ADSC的说法。其结果是,参考必须的写周期开始,以使输出为三态之前,驱动为高电平。 OE是一个
不喜欢的写周期的剩余部分。
8. OE是异步的,并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期中的所有数据位为三态时, OE是
处于非活动状态,或当装置被取消,并且所有的数据位表现为输出时OE为有效(低电平) 。
文件编号: 38-05543牧师* E
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