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CY7C1354B-166AC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1354B-166AC图片预览
型号: CY7C1354B-166AC
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内容描述: 9 -MB ( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL架构 [9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL Architecture]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器时钟
文件页数/大小: 29 页 / 475 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1354B
CY7C1356B
真值表
[1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]
手术
取消选择周期
CONTINUE
取消选择周期
读周期
(开始爆发)
地址
二手
CE ZZ
H
X
L
X
L
L
L
L
L
L
ADV / LD
L
H
L
H
L
WE
X
X
H
X
H
BWX
X
X
X
X
X
OE
X
X
L
L
H
CEN CLK
L
L
L
L
L
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
DQ
三态
三态
数据输出( Q)
数据输出( Q)
三态
读周期
NEXT
(继续爆发)
NOP /假
(开始爆发)
假读
NEXT
(继续爆发)
写周期
(开始爆发)
X
L
X
L
L
L
L
L
H
L
H
L
X
L
X
L
X
L
L
H
H
X
X
X
L
L
L
L
L-H
L-H
L-H
L-H
三态
数据输入(D )
数据输入(D )
三态
写周期
NEXT
(继续爆发)
NOP / WRITE
退出
(开始爆发)
写入中止下一页
(继续爆发)
忽略
时钟边沿
(失速)
睡眠模式
当前
X
X
L
L
H
X
X
X
H
X
X
X
L
H
L-H
L-H
三态
-
X
H
X
X
X
X
X
X
三态
注意事项:
1, X = “无所谓” , 1 =逻辑高电平, 0 =逻辑低电平,CE代表所有的芯片使能有效。 BWX = 0表示的至少一个字节写选有效, BWX =
有效意味着所需的字节写选择都有效,请参见写周期说明表的详细信息。
2.写由WE和BW定义
[A :D ]
。见写周期说明表的详细信息。
3.当检测到一个写周期中,所有的I / O的三态,即使在​​字节写入。
4. DQ和DQP引脚由当前的周期和OE信号控制。
5. CEN = H插入等待状态。
6.设备将开机了取消和I / O的一个三态条件下,无论OE 。
7. OE是异步的,并且不采样与时钟的上升。它是在写周期内屏蔽。在读周期的DQ和DQP
[A :D ]
=三态时,
OE是不活动的,或当装置被取消,并且的DQ =数据当OE激活。
文件编号: 38-05114牧师* C
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