CY7C1347F-133AC 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CY7C1347F-133AC
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内容描述：	4兆位（ 128K ×36 ）流水线同步SRAM [4-Mbit (128K x 36) Pipelined Sync SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	19 页 / 423 K
品牌：	CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]

CY7C1347F

电气特性

在工作范围（续）

[8, 9]

参数

SB3

描述

测试条件

4纳秒的周期， 250兆赫

4.4 ns的周期， 225兆赫

5 ns的周期， 200兆赫

6 ns的周期，频率为166 MHz

7.5 ns的周期， 133 MHz的

SB4

自动CE

掉电

目前-TTL输入

最大。 V

，设备选中，

≥

或V

≤

, f = 0

分钟。

马克斯。

105

100

单位

自动CE

最大。 V

，设备选中，或

掉电

≤

0.3V或V

＆ GT ; V

DDQ

– 0.3V

目前， CMOS输入端F = F

最大

= 1/t

CYC

阴影区域包含预览。

电容

[10]

参数

CLK

I / O

描述

输入电容

时钟输入电容

输入/输出电容

测试条件

= 25ûC ， F = 1

兆赫，

= 3.3V.

DDQ

= 3.3V

TQFP

包

BGA

包

FBGA

包

单位

交流测试负载和波形

3.3V的I / O负载测试

产量

= 50Ω

3.3V

产量

= 50Ω

R = 317Ω

DDQ

5 pF的

GND

R = 351Ω

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

≤

1ns

= 1.5V

≤

1ns

(a)

2.5V的I / O负载测试

产量

= 50Ω

2.5V

INCLUDING

夹具

范围

(b)

(c)

R = 1667Ω

DDQ

5 pF的

GND

R =1538Ω

10%

所有的输入脉冲

90%

10%

≤

1ns

产量

= 50Ω

= 1.25V

(a)

INCLUDING

夹具

范围

≤

1ns

(b)

(c)

热阻

[10]

参数

描述

热阻

（结到环境）

热阻

（结点到外壳）

测试条件

测试条件遵循标准

试验方法和程序

测量热阻抗，

按照EIA / JESD51 。

TQFP

包

41.83

9.99

BGA

包

47.63

11.71

FBGA

包

20.3

4.6

单位

° C / W

注意：

10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。

文件编号： 38-05213牧师* D

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