CY7C027V/027VN/027AV/028V
CY7C037V/037AV/038V
开关特性
在整个工作范围
[6]
（续）
CY7C027V/027VN/027AV/028V/
CY7C037V/037AV/038V
参数
描述
民
t
HD
t
HZWE [9 ， 10]
t
LZWE [9 ， 10]
t
WDD[36]
t
DDD[36]
忙碌计时
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[13]
t
插件
t
INR
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
t
SAA
-15
最大
10
3
30
25
15
15
15
15
5
0
13
15
15
15
10
5
5
15
10
5
5
5
0
15
3
民
0
0
-20
最大
12
3
40
30
20
20
20
16
5
0
17
20
20
20
12
5
5
20
民
0
-25
最大
单位
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
BUSY （从）后R / W高
R / W高忙后高（从）
繁忙的到数据有效
ns
15
50
35
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
ns
中断时序
INT设置时间
INT复位时间
SEM标志更新脉冲（ OE或SEM ）
SEM标志写阅读时间
SEM国旗竞争窗口
SEM地址访问时间
SEMAPHORE时序
数据保持方式
该
CY7C027V/027VN/027AV/028V
和
CY7037V / 037AV / 038V设计有电池备份
脑海。数据保持电压，电源电流，保证
温度过高。以下规则确保数据保存：
1.芯片使能（ CE）中的数据保存必须保持高电平，内
V
CC
到V
CC
– 0.2V.
2. CE必须保持V之间
CC
- 0.2V和V 70 ％
CC
中
上电和断电的转换。
3. RAM就可以开始操作>吨
RC
经过V
CC
到达迷你
妈妈的工作电压（3.0伏）。
定时
数据保持方式
V
CC
3.0V
V
CC
＆ GT ;
2.0V
3.0V
t
RC
V
IH
CE
V
CC
到V
CC
– 0.2V
参数
ICC
DR1
测试条件
AT VCC
DR
= 2V
最大
50
单位
μA
笔记
11.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅
波形。
12.使用测试条件是负载1 。
13. t
BDD
是一个计算出的参数和为t的较大
WDD
–t
PWE
（实际的）或T
DDD
–t
SD
（实际的） 。
14. CE = V
CC
, V
in
= GND到V
CC
, T
A
= 25 C.此参数是保证，但未经测试。
文件编号： 38-06078牧师* B
第8页18
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