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CY7C028V-20AC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CY7C028V-20AC
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内容描述: 3.3V 32K / 64K X 16/18双端口静态RAM [3.3V 32K/64K x 16/18 Dual-Port Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 456 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C027V/027VN/027AV/028V
CY7C037V/037AV/038V
开关波形
(续)
图7.写周期第1名: R / W控制时序
t
WC
地址
t
HZOE
OE
t
AW
CE
t
SA
读/写
t
HZWE
数据输出
注27
t
PWE
t
HA
t
LZWE
注27
t
SD
t
HD
DATA IN
图8.写周期2: CE控制时序
t
WC
地址
t
AW
CE
t
SA
读/写
t
SCE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HD
笔记
20. R / W必须在所有的地址转换为高。
在重叠(T时21写
SCE
或T
PWE
)一低CE或SEM和低UB或LB的
22. t
HA
从CE或R / W或( SEM或R / W)的早期测定变为高电平,在写周期的结束。
23.如果OE为低电平期间,一个R / W控制的写入周期中,写脉冲的宽度必须是吨的大
PWE
或(T
HZWE
+ t
SD
),以允许在I / O驱动器关闭和数据被放置在
该总线所需要的吨
SD
。如果OE为高电平期间,一个R / W控制的写周期,这要求不适和写脉冲可短至指定吨
PWE
.
24.要存取RAM , CE = V
IL
,扫描电镜= V
IH
.
25.要访问高位字节, CE = V
IL
, UB = V
IL
,扫描电镜= V
IH
.
访问低字节, CE = V
IL
, LB = V
IL
,扫描电镜= V
IH
.
26.转换测量
±500
毫伏从稳态与5 pF负载(包括范围和夹具) 。这个参数进行采样,而不是100 %测试。
27.在此期间, I / O引脚的输出状态,输入信号不能被应用。
28.如果CE或SEM低电平转变同时发生或在R / W低的跳变后,输出保持在高阻抗状态。
文件编号: 38-06078牧师* B
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