CY7C027V/027VN/027AV/028V
CY7C037V/037AV/038V
图3. AC测试负载和波形
3.3V
3.3V
R1 = 590Ω
产量
C = 30 pF的
R2 = 435Ω
V
TH
= 1.4V
产量
C = 30 pF的
R
TH
= 250Ω
R1 = 590Ω
产量
C = 5 pF的
R2 = 435Ω
（一）正常负载（负载1 ）
（二）戴维宁等效（负载1 ）
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
≤
3纳秒
90%
90%
10%
≤
3纳秒
（三）三态延迟（负载2 ）
（用于吨
LZ
, t
HZ
, t
HZWE
，与放;吨
LZWE
包括范围和夹具）
开关特性
在整个工作范围
CY7C027V/027VN/027AV/028V/
CY7C037V/037AV/038V
参数
描述
民
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE[7]
t
美国能源部
t
LZOE [8 ，9，10 ]
t
HZOE [8 ，9，10 ]
t
LZCE [8 ，9，10 ]
t
HZCE [8 ，9，10 ]
t
PU[10]
t
PD[10]
t
ABE[7]
写周期
t
WC
t
SCE[7]
t
AW
t
HA
t
SA[7]
t
PWE
t
SD
写周期时间
CE低到写结束
地址有效到写结束
从写端地址保持
地址设置为Write开始
把脉冲宽度
数据建立到写结束
15
12
12
0
0
12
10
20
16
16
0
0
17
12
25
20
20
0
0
22
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE低到通电
CE高到掉电
字节使能存取时间
0
15
15
3
10
0
20
20
3
10
3
12
0
25
25
3
15
10
3
12
3
15
15
15
3
20
12
3
15
20
20
3
25
13
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-15
最大
民
-20
最大
民
-25
最大
单位
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
7.要存取RAM ， CE = L ， UB = L ， SEM = H 。要访问信号量， CE = H和扫描电镜= L 。任何一个条件必须是适用于整个吨
SCE
时间。
8.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
使用9.测试条件负载2 。
10，此参数由设计保证，但未经生产测试。从写端口读取端口上的端口到端口延迟通过RAM单元的信息，
请参阅
文件编号： 38-06078牧师* B
第18页第7
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