CY62146EV30的MoBL
®
开关特性
在整个工作范围
45纳秒（工业/自动-A ）
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z
我们前高后低-Z
10
45
35
35
0
0
35
35
25
0
18
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
CE低到低Z
CE高来高-Z
CE低到通电
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
BLE / BHE高来高-Z
5
18
0
45
22
10
18
5
18
10
45
22
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
民
最大
单位
笔记
10.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒（ 1V / NS）或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
/ 2，输入脉冲
0至V水平
CC （典型值）
指定I ，并输出负载
OL
/I
OH
如图中
11. AC时序参数如有字节使能信号（ BHE和BLE ）时，芯片被禁止不是交换。请参见应用笔记AN13842进一步澄清。
12.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定
装置。
13. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
14.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动的发起和写入任何这些
信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05567牧师* D
第13个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
