CY62146EV30的MoBL
®
热阻
最初和之后的任何设计或工艺变化，可能影响这些参数进行测试。
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图3. AC测试负载和波形
V
CC
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
R1
V
CC
10%
GND
上升时间= 1 V / ns的
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
下降时间= 1 V / ns的
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
VFBGA
75
10
TSOP II
77
13
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
相当于：戴维南等效
产量
R
TH
V
3.0V
1103
1554
645
1.75
单位
Ω
Ω
Ω
V
参数
R1
R2
R
TH
V
TH
2.50V
16667
15385
8000
1.20
数据保持特性
在整个工作范围
参数
V
DR
I
CCDR [7]
t
CDR的[8]
t
R [9]
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
图4.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
CE
条件
V
CC
= 1.5V ， CE＆ GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
工业/汽车-A
民
1.5
典型值
0.8
最大
7
单位
V
μA
ns
ns
0
t
RC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 1.5V
V
CC（分钟）
t
R
笔记
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9.全面的设备运行需要的线性V
CC
从V坡道
DR
到V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs
或稳定在V
CC（分钟）
＆ GT ; 100
μs.
文件编号： 38-05567牧师* D
第13 4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
