CY62146EV30的MoBL
®
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
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超高速： 45纳秒
温度范围
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工业： -40 ° C至+ 85°C
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汽车-A ： -40 ° C至+ 85°C
宽电压范围： 2.20V - 3.60V
引脚兼容CY62146DV30
超低待机功耗
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典型待机电流： 1
μA
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最大待机电流： 7
μA
超低有功功率
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典型工作电流：在f = 1 MHz的2毫安
易内存扩展CE和OE特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
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电流。超低工作电流，非常适合提供更多
电池Life （的MoBL
®
）在便携式应用中，例如蜂窝
电话。该设备还具有自动断电
功能80的显著降低功耗
百分之当地址不toggling.The设备也可以是
置于待机模式功耗降低更多
超过99 ％的取消时（ CE HIGH ） 。输入和
输出引脚（ I / O
0
通过I / O
15
）被置于高阻抗
时态：取消选择器件（ CE HIGH ） ，输出
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作时
进度（ CE LOW和WE低）。
写入装置，以芯片启用（ CE）和写使能
（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
0
通过I / O
7
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
） 。如果字节高
使能（ BHE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
8
通过
I / O
15
）被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
).
从设备中读取，需要芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。如果
低字节使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定的位置上出现I / O的
0
到I / O
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在I / O
8
到I / O
15
。见
读写模式，完整的描述。
为了获得最佳的实践建议，请参阅赛普拉斯
应用说明
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功能说明
该CY62146EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该器件具有一个
先进的电路设计，旨在提供一个超低活跃
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
检测放大器
IO
0
= 10
7
IO
8
= 10
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
15
A
14
A
16
A
17
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05567牧师* D
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2009年3月23日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
