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CY2310ANZPVC-1 参数 Datasheet PDF下载

CY2310ANZPVC-1图片预览
型号: CY2310ANZPVC-1
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内容描述: 3.3V的SDRAM缓冲区用于移动PC与4 SO- DIMM内存模块 [3.3V SDRAM Buffer for Mobile PCs with 4 SO-DIMMs]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 15 页 / 303 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C138
CY7C139
开关波形
(续)
读时序与端口到端口延迟(M / S = L )
[19, 20]
t
WC
地址
R
读/写
R
MATCH
t
PWE
t
SD
t
HD
数据
INR
有效
地址
L
MATCH
t
DDD
数据
OUTL
t
WDD
有效
C138-10
写周期第1号: OE三态数据的I / O (任一端口)
[21, 22, 23]
t
WC
地址
t
SCE
SEM或CE
t
AW
读/写
t
SA
DATA IN
t
SD
数据有效
t
HD
t
PWE
t
HA
OE
t
HZOE
数据输出
高阻抗
C138-11
t
LZOE
注意事项:
19. BUSY =高为写端口。
20. CE
L
= CE
R
=低。
存储器21内写入时间由CE或扫描电镜低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平启动写,而无论是信号
通过去HIGH结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
22.如果OE是低电平期间, R / W控制的写周期,写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或(T
HZWE
+ t
SD
),以允许在I / O驱动器关闭和数据被放置在
总线用于所需吨
SD
。如果OE为高电平期间,一个R / W控制的写周期(如在本例中) ,这要求不适用和写脉冲可短至指定
t
PWE
.
23. R / W必须在所有的地址转换为高。
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