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CY2310ANZPVC-1 参数 Datasheet PDF下载

CY2310ANZPVC-1图片预览
型号: CY2310ANZPVC-1
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内容描述: 3.3V的SDRAM缓冲区用于移动PC与4 SO- DIMM内存模块 [3.3V SDRAM Buffer for Mobile PCs with 4 SO-DIMMs]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 15 页 / 303 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C138
CY7C139
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态.............................................. 。 -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压
[5]
......................................... -0.5V至+ 7.0V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ..... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
°
C至+70
°
C
–40
°
C至+ 85
°
C
V
CC
5V ± 10%
5V ± 10%
电气特性
在整个工作范围
7C138-15
7C139-15
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
GND < V
I
& LT ; V
CC
输出禁用, GND < V
O
& LT ; V
CC
V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
输出禁用
CE
L
和CE
R
& GT ; V
IH
,
f = f
MAX[6]
CE
L
和CE
R
& GT ; V
IH
,
f = f
MAX[6]
这两个端口
CE认证和CE
R
& GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
– 0.2V
或V
IN
& LT ; 0.2V , F = 0
[6]
一个端口
CE
L
或CE
R
& GT ; V
CC
– 0.2V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
& LT ; 0.2V ,主动
端口输出,女= F
MAX[6]
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
125
15
130
60
–10
–10
描述
输出高电压
输出低电压
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 4.0毫安
2.2
0.8
+10
+10
220
–10
–10
分钟。
2.4
0.4
2.2
0.8
+10
+10
180
190
40
50
110
120
15
30
100
115
mA
mA
mA
mA
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
2.4
0.4
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
I
SB1
I
SB2
I
SB3
待机电流
(两个端口TTL电平)
待机电流
(一个端口TTL电平)
待机电流
(这两个端口CMOS电平)
I
SB4
待机电流
(一个端口CMOS电平)
注意事项:
5.脉冲宽度< 20纳秒。
6. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
(除了输出使能) 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS
水平备用I
SB3
.
3