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    CY2310ANZPVC-1 参数 Datasheet PDF下载

    CY2310ANZPVC-1图片预览
    型号： CY2310ANZPVC-1
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3V的SDRAM缓冲区用于移动PC与4 SO- DIMM内存模块 [3.3V SDRAM Buffer for Mobile PCs with 4 SO-DIMMs]
    分类和应用： 动态存储器PC
    文件页数/大小： 15 页 / 303 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY2310ANZPVC-1的Datasheet PDF文件第9页  
    CY7C138
    CY7C139
    ]
    电气特性
    在工作范围（续）
    7C138-35
    7C139-35
    参数
    V
    OH
    V
    OL
    V
    IH
    V
    IL
    I
    IX
    I
    OZ
    I
    CC
    输入低电压
    输入漏电流
    输出漏电流
    工作电流
    GND < V
    I
    ＆ LT ; V
    CC
    输出禁用， GND < V
    O
    ＆ LT ; V
    CC
    V
    CC
    =最大，
    I
    OUT
    = 0 mA时，
    输出禁用
    CE
    L
    和CE
    R
    ＆ GT ; V
    IH
    ,
    f = f
    MAX[6]
    CE
    L
    和CE
    R
    ＆ GT ; V
    IH
    ,
    f = f
    MAX[6]
    这两个端口
    CE认证和CE
    R
    ＆ GT ; V
    CC
    – 0.2V,
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    – 0.2V
    或V
    IN
    ＆ LT ; 0.2V ， F = 0
    [6]
    一个端口
    CE
    L
    或CE
    R
    ＆ GT ; V
    CC
    – 0.2V,
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    - 0.2V或
    V
    IN
    ＆ LT ; 0.2V ，主动
    端口输出，女= F
    MAX[6]
    Com'l
    IND
    Com'l
    IND
    Com'l
    IND
    Com'l
    IND
    Com'l
    IND
    –10
    –10
    描述
    输出高电压
    输出低电压
    测试条件
    V
    CC
    =最小值，我
    OH
    = -4.0毫安
    V
    CC
    =最小值，我
    OL
    = 4.0毫安
    分钟。
    2.4
    0.4
    2.2
    0.8
    +10
    +10
    160
    180
    30
    40
    100
    110
    15
    30
    90
    100
    –10
    –10
    2.2
    0.8
    +10
    +10
    160
    180
    30
    40
    100
    110
    15
    30
    90
    100
    mA
    mA
    mA
    mA
    马克斯。
    7C138-55
    7C139-55
    分钟。
    2.4
    0.4
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    µA
    mA
    I
    SB1
    I
    SB2
    I
    SB3
    待机电流
    （两个端口TTL电平）
    待机电流
    （一个端口TTL电平）
    待机电流
    （这两个端口CMOS电平）
    I
    SB4
    待机电流
    （一个端口CMOS电平）
    电容
    [7]
    参数
    C
    IN
    C
    OUT
    描述
    输入电容
    输出电容
    测试条件
    T
    A
    = 25 ° C，F = 1MHz时，
    V
    CC
    = 5.0V
    马克斯。
    10
    15
    单位
    pF
    pF
    交流测试负载和波形
    5V
    R1=893Ω
    产量
    C = 30 pF的
    R2=347Ω
    产量
    C=30pF
    V
    TH
    =1.4V
    （一）正常负载（负载1 ）
    C138-3
    5V
    R1=893Ω
    产量
    C = 5 pF的
    R2=347Ω
    R
    TH
    =250Ω
    （二）戴维南EquivalentLoad 1 ）
    (
    C138-4
    （三）三态延迟（负载3 ）
    C138-5
    所有的输入脉冲
    产量
    C = 30 pF的
    3.0V
    GND
    10%
    90%
    90%
    10%
    ＆ LT ; 3纳秒
    C138-7
    ＆ LT ; 3纳秒
    负载（负载2 ）
    C138-6
    注意：
    7.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
    4

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