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CY2310ANZPVC-1 参数 Datasheet PDF下载

CY2310ANZPVC-1图片预览
型号: CY2310ANZPVC-1
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内容描述: 3.3V的SDRAM缓冲区用于移动PC与4 SO- DIMM内存模块 [3.3V SDRAM Buffer for Mobile PCs with 4 SO-DIMMs]
分类和应用: 动态存储器PC
文件页数/大小: 15 页 / 303 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C138
CY7C139
开关特性
在整个工作范围
[8]
7C138-15
7C139-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE[9,10,11]
t
HZOE[9,10,11]
t
LZCE[9,10,11]
t
HZCE[9,10,11]
t
PU[11]
t
PD[11]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[10,11]
t
LZWE[10,11]
t
WDD[12]
t
DDD[12]
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS
t
WB
t
WH
t
BDD[14]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
0
15
3
10
0
25
3
10
3
15
0
35
3
15
10
3
15
3
20
0
55
15
15
3
25
15
3
20
3
25
25
25
3
35
20
3
25
35
35
3
55
25
55
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
7C138-25
7C139-25
分钟。
马克斯。
7C138-35
7C139-35
分钟。
马克斯。
7C138-55
7C139-55
分钟。
马克斯。
单位
写周期
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
3
30
25
15
12
12
2
0
12
10
0
10
3
50
30
25
20
20
2
0
20
15
0
15
3
60
35
35
30
30
2
0
25
15
0
20
3
70
40
55
40
40
2
0
30
20
0
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
忙碌计时
[13]
BUSY LOW从地址匹配
从地址不匹配繁忙的
BUSY LOW从CE LOW
从CE HIGH HIGH忙
端口设置为优先
后BUSY LOW R / W低
R / W后, BUSY高高
繁忙的到数据有效
5
0
13
13
15
15
15
15
5
0
20
13
20
20
20
20
5
0
30
13
20
20
20
20
5
0
40
13
45
40
40
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
中断时序
[13]
t
插件
t
INR
INT设置时间
INT复位时间
15
15
25
25
25
25
30
30
ns
ns
5