欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NE85619-T1 参数 Datasheet PDF下载

NE85619-T1图片预览
型号: NE85619-T1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
 浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第16页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第17页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第18页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第19页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第21页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第22页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第23页浏览型号NE85619-T1的Datasheet PDF文件第24页  
NE856 SERIES  
NE85635 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
CCB_PKG  
0.05pF  
Q1  
LC_PKG  
0.15nH  
RC_PKG  
0.1 ohms  
0.09pF  
CCB  
LC  
COLLECTOR  
0.45nH  
68100  
RB_PKG  
0.1 ohms  
LB_PKG  
0.15nH  
LB  
CCE  
0.16pF  
BASE  
0.77nH  
CCE_PKG  
0.2pF  
LE_PKG  
0.23nH  
CBE_PKG  
0.05pF  
RE_PKG  
0.1 ohms  
CBEX_PKG  
0.1pF  
CCEX_PKG  
0.2pF  
EMITTER  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
IS  
Q1  
6e-16  
120  
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.55  
0.3  
0
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
BF  
NF  
0.98  
10  
VAF  
IKF  
0.75  
0
volts  
0.08  
32e-16  
1.93  
12  
current  
amps  
ISE  
0.5  
10e-12  
6
NE  
TF  
BR  
XTF  
VTF  
ITF  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.05 to 5.0 GHz  
NR  
0.991  
3.9  
10  
Bias:  
Date:  
VCE = 10 V, IC = 7 mA to 30 mA  
11/1/96  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
0.2  
0
0.17  
0
PTF  
TR  
1e-9  
1.11  
0
2
EG  
RE  
0.38  
4.16  
3.6  
XTB  
XTI  
RB  
3
RBM  
IRB  
RC  
KF  
0
1.96e-4  
2
AF  
1
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
2.8e-12  
1.3  
0.5  
1.1e-12  
0.7  
(1) Gummel-Poon Model  
Note:  
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at www.cel.com for this data.  
 复制成功!