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NE85619-T1 参数 Datasheet PDF下载

NE85619-T1图片预览
型号: NE85619-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE856 SERIES  
NE85630 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
C
CBPKG  
C
CB  
L
CX  
Collector  
LBX  
L
B
Base  
C
CE  
C
CEPKG  
L
E
C
BEPKG  
L
EX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameters  
IS  
Q1  
6e-16  
120  
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.55  
0.3  
0
Parameter  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
time  
BF  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
NF  
0.98  
10  
VAF  
IKF  
0.75  
0
0.08  
32e-16  
1.93  
12  
volts  
ISE  
0.5  
10e-12  
6
current  
amps  
NE  
TF  
BR  
XTF  
VTF  
ITF  
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
0.991  
3.9  
10  
Parameters  
CCB  
NE85630  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
0.2  
0
0.09e-12  
0.16e-12  
1.4e-9  
0.17  
0
PTF  
TR  
CCE  
1e-9  
1.11  
0
LB  
2
EG  
LE  
0.93e-9  
0.12e-12  
0.16e-12  
0.04e-12  
0.2e-9  
RE  
0.38  
4.16  
3.6  
XTB  
XTI  
CCBPKG  
CCEPKG  
CBEPKG  
LBX  
RB  
3
RBM  
IRB  
RC  
KF  
0
1.96e-4  
2
AF  
1
LCX  
0.2e-9  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
2.8e-12  
1.3  
LEX  
0.2e-9  
0.5  
MODEL RANGE  
1.1e-12  
0.7  
Frequency: 0.05 to 3.0 GHz  
Bias:  
Date:  
VCE = 2.5 V to 10 V, IC = 0.3 mA to 10 mA  
10/25/96  
(1) Gummel-Poon Model  
Note:  
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at www.cel.com for this data.  
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