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NE85619-T1 参数 Datasheet PDF下载

NE85619-T1图片预览
型号: NE85619-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE856 SERIES  
NE85619 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
CCBPKG  
CCB  
Q1  
LCX  
Collector  
LBX  
LB  
Base  
CCE  
CCEPKG  
LE  
LEX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameter  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
Q1  
Parameters  
Q1  
time  
IS  
BF  
6e-16  
120  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
0.55  
0.3  
0
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
NF  
0.98  
10  
VAF  
IKF  
ISE  
NE  
0.75  
0
volts  
0.08  
3.2e-15  
1.93  
12  
current  
amps  
0.5  
10e-12  
6
TF  
BR  
XTF  
VTF  
ITF  
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
0.991  
3.9  
10  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
0.2  
0
Parameters  
CCB  
NE85619  
0.17  
0
PTF  
TR  
0.087e-12  
0.16e-12  
1.84e-9  
0.56e-9  
0.08e-12  
0.39e-12  
0.19e-9  
0.19e-9  
0.19e-9  
1e-9  
1.11  
0
CCE  
2
EG  
LB  
RE  
0.38  
4.16  
3.6  
XTB  
XTI  
LE  
RB  
3
CCBPKG  
CCEPKG  
LBX  
RBM  
IRB  
RC  
KF  
0
1.96e-4  
2
AF  
1
LCX  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
2.8e-12  
1.3  
LEX  
0.5  
1.1e-12  
0.7  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.05 to 3.0 GHz  
Bias:  
VCE = 2.5 V to 10 V, IC = 0.3 mA to 10 mA  
(1) Gummel-Poon Model  
Note:  
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at www.cel.com for this data.  
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