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NE85619-T1 参数 Datasheet PDF下载

NE85619-T1图片预览
型号: NE85619-T1
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 26 页 / 828 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE856 SERIES  
NE85633 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
CCBPKG  
CCB  
Q1  
LCX  
Collector  
LBX  
LB  
Base  
CCE  
CCEPKG  
LE  
CBEPKG  
LEX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
IS  
Q1  
6e-16  
120  
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.55  
0.3  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
BF  
NF  
0.98  
10  
0
VAF  
IKF  
0.75  
0
volts  
0.08  
32e-16  
1.93  
12  
current  
amps  
ISE  
0.5  
NE  
TF  
15e-12  
6
ADDITIONAL PARAMETERS  
BR  
XTF  
VTF  
ITF  
NR  
0.991  
3.9  
10  
Parameters  
CCB  
NE85633  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
0.2  
0.09e-12  
0.16e-12  
0.85e-9  
1e-9  
0.17  
0
PTF  
TR  
0
CCE  
1e-9  
1.11  
0
LB  
2
EG  
LE  
RE  
0.38  
4.16  
3.6  
XTB  
XTI  
CCBPKG  
CCEPKG  
CBEPKG  
LBX  
0.15e-12  
0.15e-12  
0.07e-12  
0.3e-9  
RB  
3
RBM  
IRB  
RC  
KF  
1.56e-18  
1.49  
1.96e-4  
2
AF  
LCX  
0.4e-9  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
2.8e-12  
1.3  
LEX  
0.3e-9  
0.5  
MODEL RANGE  
1.1e-12  
0.7  
Frequency: 0.1 to 8.0 GHz  
Bias:  
Date:  
VCE = 1 V to 10 V, IC = 1 mA to 20 mA  
7/97  
(1) Gummel-Poon Model  
Note:  
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at www.cel.com for this data.  
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