SDRAM
奥斯汀半导体公司
图1 ：模式寄存器定义
AS4SD8M16
表1 ：突发定义
BURST
长
2
开始
访问顺序的内爆
列类型=顺序式= INTERLEAVED
A0
0
0-1
0-1
1
1-0
1-0
A1 A0
0 0
0-1-2-3
0-1-2-3
0 1
1-2-3-0
1-0-3-2
1 0
2-3-0-1
2-3-0-1
1 1
3-0-1-2
3-2-1-0
A2 A1 A0
0 0 0
0-1-2-3-4-5-6-7
0-1-2-3-4-5-6-7
0 0 1
1-2-3-4-5-6-7-0
1-0-3-2-5-4-7-6
0 1 0
2-3-4-5-6-7-0-1-
2-3-0-1-6-7-4-5
0 1 1
3-4-5-6-7-0-1-2
3-2-1-0-7-6-5-4
1 0 0
4-5-6-7-0-1-2-3
4-5-6-7-0-1-2-3
1 0 1
5-6-7-0-1-2-3-4
5-4-7-6-1-0-3-2
1 1 0
6-7-0-1-2-3-4-5
6-7-4-5-2-3-0-1
1 1 1
7-0-1-2-3-4-5-6
7-6-5-4-3-2-1-0
道道，道道+ 1，道道+ 2的C n + 3
n=A0-A8
Cn+4…
不支持
（位置0 -Y ）
…Cn-1,
道道通...
4
8
满
页面
(y)
注意事项：
1.对于整版访问：Y = 512
2.两个突发长度， A1 -A8选择块的两突发;
A0选择块内的起始列。
3.四的突发长度， A2 -A8选择块的四连拍;
A0 -A1的选择块内的起始列。
4.八的突发长度， A3 -A8选择块的八个突发; A0 -A2
选择在块内的起始列。
5.对于全页突发，全行选择A0 -A8选择出发
柱。
6.每当给定序列内到达该块的边界
以上，以下访问块内包装。
7.一个的脉冲串长度， A0 -A8中选择要访问的唯一的列，
和模式寄存器位M3被忽略。
AS4SD8M16
修订版0.5 04/05
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AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
