SDRAM
奥斯汀半导体公司
COMMANDS
事实表1提供了可用的快速参考
命令。这之后是由每个的书面说明
命令。另外三个真值表出现以下的
操作部分;这些表提供当前状态/下一状态
信息。
COMMAND INHIBIT
该命令禁止功能可以防止新
从由SDRAM中正在执行的命令，不管
在CLK信号是否被使能。在SDRAM便可有效
tively取消。操作已在进行中不AF-
染。
无操作（ NOP ）
在无操作（ NOP ）命令用于为按照
形成一个NOP到被选中（ CS \\是LOW）的SDRAM 。
这
防止不必要的命令被注册
在空闲或等待状态。操作已在进行中的
不受影响。
加载模式寄存器
该模式寄存器通过输入A0 -A11加载。见模式
注册朝着注册德网络nition部分。在LOAD
只能发出模式寄存器命令时，所有
银行是闲置的，而随后的可执行命令不能
b
e
功能
COMMAND INHIBIT （ NOP ）
无操作（ NOP ）
ACTIVE （选择银行并激活行）
READ （选择银行和列，然后开始读突发）
WRITE （选择银行和列，然后开始写突发）
BURST TERMINATE
预充电（停用排在银行或银行）
自动刷新或自刷新
（进入自刷新模式）
加载模式寄存器
写使能/输出使能
写禁止/输出高阻
AS4SD8M16
才会发出吨
MRD
得到满足。
活跃
激活命令用来打开（或激活）一
排在一个特定的银行进行后续访问。该值
在BA0 ， BA1输入选择银行，地址亲
vided上输入A0 -A11选择行。该行仍然AC-
略去（或打开），用于访问，直到预充电命令是
颁发给该银行。预充电命令必须是 -
在同一家银行开立不同的行之前起诉。
读
READ命令用于发起的突发读AC-
塞斯活动行。在BA0价值， BA1输入硒
脉冲编码提供的输入A0 - A8 SE-银行和地址
脉冲编码的起始列位置。输入A10的值
确定自动预充电是否被使用。如果汽车
预充电被选择时，该行被访问将预充电
在读突发结束;如果自动预充电没有被选中，
该行将继续开放供后续访问。读取数据
上出现的DQ受到的DQM的逻辑电平
输入两个时钟更早。如果一个给定的DQM信号为寄存器
羊羔高，相应的DQ将高阻两个时钟
后来，如果DQM信号是LOW注册， DQS的意志
提供有效的数据。
真值表1 ：命令和DQM操作
1
CS \\ RAS \\ CAS \\ WE \\
H
X
X
X
L
H
H
H
L
L
H
H
L
H
L
H
L
L
L
L
L
-
-
H
H
L
L
L
-
-
L
H
H
L
L
-
-
L
L
L
H
L
-
-
DQM
ADDR
的DQ注意事项
X
X
X
X
X
X
X
行/列
X
3
8
行/列
X
4
L / H
L / H
X
X
X
X
L
H
8
行/列有效
X
活跃
CODE
X
X
X
4
5
6, 7
2
8
8
操作码
X
-
活跃
-
高-Z
注意：
1. CKE是高的，除了自刷新显示的所有命令。
2. A0 -A11限定的操作码写入到模式寄存器。
3. A0 -A11提供行地址和BA0 ， BA1确定哪些银行被激活。
4. A0 -A8提供列地址; A10 HIGH启用自动预充电功能（非永久），而A10 LOW禁用自动预充电
BA0 ， BA1确定哪些银行正在读取或写入。
5. A10低： BA0 ， BA1确定银行被预充电。 A10高：所有银行预充电和BA0 ， BA1是“不在乎。 ”
6.此命令自动刷新，如果CKE为高电平时，自刷新，如果CKE为低。
7.内部刷新计数器控制行寻址;所有的输入和I / O的“不关心” ，除了CKE 。
8.激活或停用DQS的过程中写入（零时钟延迟） ，并读取（双时钟延迟） 。
AS4SD8M16
修订版0.5 04/05
功能;
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7
AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
