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AS4LC4M4883C 参数 Datasheet PDF下载

AS4LC4M4883C图片预览
型号: AS4LC4M4883C
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内容描述: MEG 4 ×4的DRAM 3.3V , EDO页模式 [4 MEG x 4 DRAM 3.3V, EDO PAGE MODE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 188 K
品牌: AUSTIN [ AUSTIN SEMICONDUCTOR ]
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奥斯汀半导体公司
AS4LC4M4 883C
MEG 4 ×4的DRAM
DRAM
适用车型军事
特定网络阳离子
• MIL -STD- 883
• SMD计划
MEG 4 ×4的DRAM
3.3V , EDO页模式
引脚配置(顶视图)
24/28-Pin
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6
9
8
10
9
11
10
12
11
13
12
14
13
28
26
27
25
26
24
25
23
24
22
23
21
20
19
19
18
18
17
17
16
16
15
15
14
V
SS
DQ4
DQ3
/
C
/
A
/
S
/
O
/
E
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
特点
•工业标准引脚排列X4 ,时间,功能和
套餐
•高性能CMOS硅栅工艺
• + 3.3V单
±0.3V
电源
•低功耗,待机1毫瓦;积极为150mW ,典型的
•所有输入,输出和时钟TTL兼容
•刷新模式:
?
R
?
A
/
唯一的,
?
C
?
A
/
S-直至─ ·R
?
A
/
S( CBR )
• 2048周期(11行向, 11列地址)
•扩展数据输出( EDO )的页面访问周期
• 5V兼容的I / O ( 5.5V最大V
IH
级)
V
CC
DQ1
DQ2
/
W
/
E
/
R
/
A
/
S
NC
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
选项
•时机
60ns的存取(联系工厂)
接取为70ns
80ns的访问
•包
陶瓷SOJ
陶瓷LCC
陶瓷鸥翼型
记号
-6
-7
-8
ECJ
EC
心电图
505号
212号
603号
关键时序参数
速度
-6
-7
-8
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
110ns
130ns
150ns
60ns
70ns
80ns
30ns
35ns
40ns
30ns
35ns
40ns
15ns
18ns
20ns
12ns
15ns
20ns
概述
该AS4LC4M4是随机访问的固态
组织一个x4 CON-含16777216位内存
成形。该AS4LC4M4
?
R
?
A
/
S被用于锁存所述第一11
位,
?
C
?
A
/
S中后11位。 READ和WRITE周期
与所选择的
?
W
/
E个输入。逻辑高电平,
?
W
/
Ë决定READ模式,而逻辑低电平
?
W
/
ê使然
写模式。在一个写周期,数据(D)中被锁存
由下降沿
?
W
/
E或
?
C
?
A
/
S,以先到为准过去。如果
?
W
/
Ë变低之前
?
C
?
A
/
回事低电平时,输出引脚
保持开放(高Z) ,直到下一个
?
C
?
A
/
硫循环,而不管
of
?
O
/
E.
AS4LC4M4
牧师11/97
DS000022
高上的一个逻辑
?
W
/
Ë决定READ模式,而逻辑
?
W
/
Ë决定写模式。在写周期,
数据输入( D)的下降沿锁存
?
W
/
E或
/
C
/
A
/
S,
为准过去。出现早期写的时候
?
W
/
E被拉低之前
/
C
/
A
/
上掉下。后写入或
读 - 修改 - 写操作时,
?
W
/
后ê下降
/
C
/
A
/
S
被带到低。在早期的写周期中,数据 -
不管输出(Q )将保持状态的高阻
OE 。在晚写或读 - 修改 - 写周期,
? /
?
O
/
E必须采取高电平,禁止数据输出之前,
施加输入数据。如果后写入或读 - 修改 -
同时保持WRITE尝试
?
O
/
低辐射LOW ,不写会
发生,并且该数据输出将驱动从所读取的数据
访问的位置。
四个数据输入和四个输出数据被路由
通过四个引脚使用通用I / O和引脚方向
通过控制
?
W
/
E和
?
O
/
E.
快速页模式
快速页面操作允许更快的数据业务
(读,写或读 - 修改 - 写)一个行向中
地址定义页边界。快速页面周期
始终以行地址选通发起,由
?
R
?
A
/
S
接着是列地址选通,在用C
?
A
/
S.
?
C
?
A
/
S可以
?
进行切换,通过举办
?
R
?
A
/
s低和选通,在differ-
耳鼻喉科列地址,从而更快地执行存储周期。
回到R'一
/
的高终止快速页面方式
的操作。
2-73
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